Bài 23. Dòng điện trong chất bán dẫn

- 0 / 0
(Tài liệu chưa được thẩm định)
Nguồn: chưa dõ
Người gửi: Hoàng Hồng Quân
Ngày gửi: 13h:55' 09-05-2012
Dung lượng: 2.8 MB
Số lượt tải: 38
Nguồn: chưa dõ
Người gửi: Hoàng Hồng Quân
Ngày gửi: 13h:55' 09-05-2012
Dung lượng: 2.8 MB
Số lượt tải: 38
Số lượt thích:
0 người
Chương 1: VẬT LIỆU BÁN DẪN
Phần 1: Chất bán dẫn
Phần 2: Chuyển tiếp P / N
Phân biệt các chất bán dẫn, dẫn điện và cách điện :
Chất cách điện
Chất bán dẫn
Chất dẫn điện
Cấu trúc nguyên tử của germanium ; silicon.
1.1 CHẤT BÁN DẪN
1.1.1 CHẤT BÁN DẪN THUẦN
NGUYÊN TỬ
Liên kết hóa học
Ô cơ bản trong cấu trúc mạng tinh thể
Cấu trúc mạng tinh thể bán dẫn thuần :
1.1 Chất bán dẫn
Nguyên lý dẫn điện của vật liệu bán dẫn thuần :
1.1.1 CHẤT BÁN DẪN THUẦN
1.1 Chất bán dẫn
1.1.2 BÁN DẪN TẠP CHẤT
Nguyên lý dẫn điện của vật liệu bán dẫn LOẠI N:
P
P
P
P
1.1 Chất bán dẫn
Nguyên lý dẫn điện của vật liệu bán dẫn LOẠI P:
B
B
B
B
B
1.1 Chất bán dẫn
1.1.2 BÁN DẪN TẠP CHẤT
1.2 TIẾP XÚC P/N
1.2 TIẾP XÚC P/N
I0
1.2 TIẾP XÚC P/N
ID
Hiện tượng đánh thủng tiếp giáp P/N :
Đánh thủng thác lũ : Do hạt thiểu số tăng tốc theo điện áp gây ion hóa các nguyên tử qua va chạm ? dòng thác lũ. Vùng thác lũ (Vz) giảm gần trục tung khi tăng các kích thích trong lớp P và N
Đánh thủng xuyên hầm : Khi mật độ tap chất trong bán dẫn tăng ? ETX lớn gây ra hiệu ứng xuyên hầm lôi kéo các e- trong vùng hóa trị của lớp P vượt qua UTX chảy sang lớp N
Đánh thủng nhiệt : Xảy ra do tích lũy nhiệt trong vùng tiếp xúc vượt quá giới hạn ? Hư hỏng vĩnh viễn tiếp xúc
1.2 TIẾP XÚC P/N
Phần 1: Chất bán dẫn
Phần 2: Chuyển tiếp P / N
Phân biệt các chất bán dẫn, dẫn điện và cách điện :
Chất cách điện
Chất bán dẫn
Chất dẫn điện
Cấu trúc nguyên tử của germanium ; silicon.
1.1 CHẤT BÁN DẪN
1.1.1 CHẤT BÁN DẪN THUẦN
NGUYÊN TỬ
Liên kết hóa học
Ô cơ bản trong cấu trúc mạng tinh thể
Cấu trúc mạng tinh thể bán dẫn thuần :
1.1 Chất bán dẫn
Nguyên lý dẫn điện của vật liệu bán dẫn thuần :
1.1.1 CHẤT BÁN DẪN THUẦN
1.1 Chất bán dẫn
1.1.2 BÁN DẪN TẠP CHẤT
Nguyên lý dẫn điện của vật liệu bán dẫn LOẠI N:
P
P
P
P
1.1 Chất bán dẫn
Nguyên lý dẫn điện của vật liệu bán dẫn LOẠI P:
B
B
B
B
B
1.1 Chất bán dẫn
1.1.2 BÁN DẪN TẠP CHẤT
1.2 TIẾP XÚC P/N
1.2 TIẾP XÚC P/N
I0
1.2 TIẾP XÚC P/N
ID
Hiện tượng đánh thủng tiếp giáp P/N :
Đánh thủng thác lũ : Do hạt thiểu số tăng tốc theo điện áp gây ion hóa các nguyên tử qua va chạm ? dòng thác lũ. Vùng thác lũ (Vz) giảm gần trục tung khi tăng các kích thích trong lớp P và N
Đánh thủng xuyên hầm : Khi mật độ tap chất trong bán dẫn tăng ? ETX lớn gây ra hiệu ứng xuyên hầm lôi kéo các e- trong vùng hóa trị của lớp P vượt qua UTX chảy sang lớp N
Đánh thủng nhiệt : Xảy ra do tích lũy nhiệt trong vùng tiếp xúc vượt quá giới hạn ? Hư hỏng vĩnh viễn tiếp xúc
1.2 TIẾP XÚC P/N
 







Các ý kiến mới nhất