ĐIỆN TỬ CƠ BẢN 1
BÁN DẪN 3 LỚP
BJT ; JFET ; MOSFET
NỘI DUNG
BJT
(BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS)
JFET
(JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTORS)
MOSFET
(METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FET)
BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS)
CẤU TẠO VÀ KÝ HIỆU:
C: Collector (c?c thu)
B: Base (c?c n?n)
E: Emitter (cực phát)
BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS)
CẤU TẠO THỰC TẾ :
BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS)
NGUYÊN LÝ HOẠT ĐỘNG:
BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS)
NGUYÊN LÝ HOẠT ĐỘNG:
BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS)
NGUYÊN LÝ HOẠT ĐỘNG:
BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS)
CÁC THÔNG SỐ BJT :
IC = ?.IE +ICBO
IE = IB +IC
BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS)
BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS)
CÁC THÔNG SỐ BJT :
BJT (CÁC KIỂU NỐI DÂY )
KIỂU NỐI B CHUNG (CB):
ZIN nhỏ (10?100)? ; ZOUT lớn (50k? ? 1M?)
Chỉ Khuếch Đại A�p Không Khuếch Đại Dòng
BJT (CÁC KIỂU NỐI DÂY )
KIỂU NỐI E CHUNG (CE):
BJT (CÁC KIỂU NỐI DÂY )
KIỂU NỐI C CHUNG (CC):
ĐẶC TUYẾN GẦN NHƯ KIỂU CE
ZIN lớn (50k? ? 1M?) ;
ZOUT nho� (vài trăm?)
DẠNG SÓNG RA ,VÀO ĐỒNG PHA
KHÔNG KHUẾCH ĐẠI
CHỈ LẶP LẠI ? MẠCH ĐỆM
BJT (CÁC KIỂU NỐI DÂY )
CÁC THÔNG SỐ GIỚI HẠN CỦA BJT
VÙNG PMAX
VÙNG LÀM VIỆC
ICEO ? IC ? ICMAX
VCE BH ? VCE ? VCEMAX)
VCE IC ? PCMAX
JFET (JUNCTION FET)
CẤU TẠO VÀ KÝ HIỆU:
Gate (G)
Drain(D)
Source(S)
Drain(D)
Source(S)
Gate (G)
ID
VGS = 0V
IS
VGS = 0V
NGUYÊN LÝ HOẠT ĐỘNG:
JFET (JUNCTION FET)
ID
IS
NGUYÊN LÝ HOẠT ĐỘNG:
JFET (JUNCTION FET)
JFET (JUNCTION FET)
JFET (CÁC THÔNG SỐ CƠ BẢN)
JFET (CÁC THÔNG SỐ CƠ BẢN)
JFET (CÁC THÔNG SỐ CƠ BẢN)
JFET (CÁC THÔNG SỐ CƠ BẢN)
MOSFET(Metal Oxide Semiconductor FET)
CẤU TẠO VÀ KÝ HIỆU D_MOSFET:
D_MOSFET(Nguyên Lý Làm Việc - Đặc Tính)
VGS= 0V
ID
IS
VGS< 0V
VGS> 0V
VGS > 0V
D_MOSFET(Metal Oxide Semiconductor FET)
CẤU TẠO VÀ NGUYÊN LÝ D_MOSFET:
E_MOSFET(Metal Oxide Semiconductor FET)
CẤU TẠO VÀ KÝ HIỆU E_MOSFET:
E_MOSFET(Nguyên Lý Làm Việc - Đặc Tính)
VGS= 0V
ID
IS
VT
VGS> 0V
E_MOSFET(Nguyên Lý Làm Việc - Đặc Tính)